胶我选方案库-半导体/数据中心/汽车新能源等八大行业电子材料应用案例

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2026-10-08 07:03|应用编号: jPZgx

从没人管到卡脖子：AI眼镜散热材料的微型化革命

内容摘要：2026年全球AI智能眼镜出货量突破千万副，三年涨25倍。文章解读导热石墨片/石墨烯膜在AI眼镜被动散热中的选型要点：面内导热率700-1900W/m·K、导电需绝缘处理、弯折区需选耐弯折型或石墨烯膜。墨睿"零包边"技术将边缘厚度压到0.01mm，千万级出货量下散热材料正从"定制件"变"标准件"。

王凯

2026-10-08 06:53|应用编号: 7HF53

无屏AI眼镜增速超200%，但OCA光学胶厂商笑不出来——为什么？

内容摘要：AI眼镜市场出现"无屏vs带屏"路线分化，无屏产品增速超200%但零OCA需求，带屏产品离不开光学贴合。文章解读OCA光学胶在带屏AI眼镜中的选型要点：超薄化<50μm、耐UV型防黄变、低模量减光学应力，间隙>500μm需改用OCR液态胶。

王凯

2026-10-08 06:46|应用编号: geo42

一副35g的AI眼镜，材料替代是减重的关键路径之一

内容摘要：华为/雷鸟等国产AI眼镜比Ray-Ban Meta轻近三成，轻量化背后材料替代是关键路径。文章解读PUR热熔胶和纳米防护涂层在AI眼镜中的选型要点：PUR拉伸剪切强度5-20MPa可替代螺丝但需避开>120°C热区，纳米涂层50nm-5μm超薄但高防水等级仍需结构密封辅助。

王凯

2026-10-06 11:02|应用编号: TEhy7

10kV SiC IGBT的Die Attach：烧结银从可选到主流的工艺边界

Navitas被美国陆军选中开发10kV SiC IGBT[1]，项目名称ALATTIS中的"Large-Area"暗示了关键工程挑战：超高压IGBT需要较大面积芯片来承载高电压和高电流，而大面积芯片的Die Attach在可靠性要求高时通常转向烧结银。这不是"能不能用"的问题，而是"加压还是无压"的工艺选择。 10kV SiC IGBT的Die Attach约束来自三个维度：温度（SiC结温200-300°C，远超焊锡183°C熔点）、面积（Large-Area芯片对连接层均匀性提出更高要求）、可靠性（国防应用对热循环寿命的要求远高于消费级）。在这三重约束下，传统锡基焊料的热疲劳和高温可靠性不足成为瓶颈。烧结银（Sintered Silver）是一种以纳米银颗粒为主要成分的膏状或膜状连接材料，通过低温烧结形成多孔银层实现芯片与基板的高导热、高可靠互连，工作温度可达300°C以上。烧结银导热率150-300W/m·K、剪切强度20-60MPa、耐温300°C+，三项指标均显著优于焊锡。但常识库给出明确边界：大面积（>100mm²）无压烧结易出现孔隙和分层，通常需加压[根据常识库]。IET论文中的工程数据也支持这一判断——大面积基板的压力辅助银烧结参数为260°C/1MPa/1h[2]。金基高温焊料（如AuSn）在技术上也是存在的替代方案。

王凯

2026-10-06 11:00|应用编号: FUGyQ

650V到10kV，SiC功率模块封装材料的系统性跃迁

Navitas的ALATTIS项目——把SiC器件从650V推到10kV——不是单一芯片技术的升级，而是一整套封装材料体系的系统性跃迁。[1] 从比亚迪汉EV的650V模块到Navitas的10kV IGBT，Die Attach、基板、灌封胶三层材料的"需求强度"同步提升，这不是某个材料的单独替换，而是封装设计逻辑的深层变化。电压等级每提升一级，封装材料面临的约束就叠加一层。650V车规级模块中，焊锡+DBC基板+标准硅凝胶的组合在成本可控的前提下已能满足大部分需求；但比亚迪的先进方案已经提前采用了纳米银烧结+Si₃N₄ AMB基板。[4] 到3.3kV轨交级，东芝的模块明确采用银烧结+iXPLV封装。[5] 到10kV超高压，烧结银从可选方案变成可靠性导向的主流选择，灌封胶也必须升级到高耐温型（250°C级）或纳米树脂。[2] 这一升级路径的核心逻辑是：SiC芯片每升一级电压，封装材料的需求强度就升一级。Die Attach层从焊锡→烧结银（导热、耐温、可靠性需求提升）；基板层AMB（Si₃N₄）从先进选项走向普遍必需（热循环可靠性）；灌封层从标准硅凝胶→高耐温硅凝胶/纳米树脂（绝缘强度+耐温需求提升）。10kV不是终点，是材料体系升级的关键节点。已有量产案例： - 比亚迪半导体SiC功率模块（汉EV，纳米银烧结+Si₃N₄ AMB，2020年上市）——来源：https://www.bydmicro.com/cn/news/news-detail/151 - 智新半导体1700V SiC MOSFET模块（纳米银烧结+AMB陶瓷基板，2025年下线）——来源：https://www.eet-china.com/mp/a413873.html - 东芝IX800FXF2YMS4（3300V SiC模块，银烧结+iXPLV封装，2026年9月发布）——来源：https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2026/09/sic-power-devices-20260924-1.html （以上为公开案例整理，不构成选型推荐） ???? [查看封装材料选型矩阵] · [收藏本文] · [转发给同事] 参考资料： [1] U.S. Government Selects Navitas to Develop Next-Generation 10 kV SiC Power Semiconductors——GlobeNewswire https://www.globenewswire.com/news-release/2026/09/28/3370264/0/en/u-s-government-selects-navitas-to-develop-next-generation-10-kv-sic-power-semiconductors.html [2] Review and Prospect of 10 kV and Above Silicon Carbide Power Modules Packaging Technologies——IET https://ietresearch.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1049/pel2.70163 [3] 适用于中压电网应用的碳化硅功率模块封装解决方案——电子工程专辑 https://www.eet-china.com/mp/a225737.html [4] 比亚迪半导体碳化硅功率模块先进工艺揭秘——比亚迪半导体 https://www.bydmicro.com/cn/news/news-detail/151 [5] Toshiba Launches 3300V SiC MOSFET Module——东芝 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2026/09/sic-power-devices-20260924-1.html [6] 智新半导体1700V SiC MOSFET模块正式下线——电子工程专辑 https://www.eet-china.com/mp/a413873.html [7] Navitas推进10kV SiC IGBT——集邦化合物半导体 https://www.cnledw.com/SiC/newsdetail-76923.html

王凯

2026-10-06 10:59|应用编号: QyQdE

10kV功率模块封装，灌封胶不是填充物而是绝缘墙

Navitas被美国陆军选中开发10kV SiC IGBT[1]，这意味着一件事：功率器件的电压等级从消费级/车规级的650V-1.7kV，跃迁到了国防电网级的10kV。电压提升约6倍，封装内部的电场管理成了全新命题。灌封胶——这个在常规模块里经常被当作"填充物"的材料——在10kV模块里变成了第一道绝缘防线。 10kV SiC IGBT的封装约束是结构性的。SiC器件典型结温可达200-300°C，而10kV电压等级意味着封装内部电场强度远超常规模块。电场集中在芯片、金属基板与灌封胶的三交界点，这里是局部放电（PD）最容易起始的位置[2]。传统硅凝胶的绝缘强度在10kV等级下需要重新评估——不是"能不能用"，而是"用哪一种、怎么用"。有机硅灌封胶（Silicone Potting Compound）是一种以有机硅聚合物为基体、用于电子器件封装保护的液态材料，固化后形成柔性弹性体，兼具绝缘、密封和应力缓冲功能。在10kV模块的选型边界上，高耐温型硅凝胶成为核心方向：ARL/Cree 27kV模块采用Wacker 915HT硅凝胶灌封[2]；弗吉尼亚理工大学10kV模块选用Nusil R-2188（耐温250°C）[2]。选型红线包括：必须验证局部放电起始电压（PDIV）是否满足10kV等级；厚层灌封需控制固化放热；温度循环下CTE匹配不能忽视。已有量产案例： - ARL/Cree 27kV SiC IGBT模块——采用PEEK外壳+Wacker 915HT硅凝胶灌封，Si₃N₄基板。来源：https://ietresearch.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1049/pel2.70163 - ARL 15kV SiC模块——底部3/4填充Dow Corning Sylgard 527硅凝胶，上层填充Cotronics Duralco 4537N环氧树脂。来源：https://ietresearch.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1049/pel2.70163 - 弗吉尼亚理工大学10kV SiC MOSFET模块——采用Nusil R-2188硅凝胶，工作温度250°C。来源：https://ietresearch.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1049/pel2.70163 （以上为公开案例整理，不构成选型推荐） ???? [查看灌封胶参数对比表] · [收藏本文] · [转发给同事] 参考资料： [1] U.S. Government Selects Navitas to Develop Next-Generation 10 kV SiC Power Semiconductors——GlobeNewswire https://www.globenewswire.com/news-release/2026/09/28/3370264/0/en/u-s-government-selects-navitas-to-develop-next-generation-10-kv-sic-power-semiconductors.html [2] Review and Prospect of 10 kV and Above Silicon Carbide Power Modules Packaging Technologies——IET https://ietresearch.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1049/pel2.70163 [3] 适用于中压电网应用的碳化硅功率模块封装解决方案——电子工程专辑 https://www.eet-china.com/mp/a225737.html [4] Navitas推进10kV SiC IGBT——集邦化合物半导体 https://www.cnledw.com/SiC/newsdetail-76923.html